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Título
CONCEPÇÃO DE CIRCUITOS INTEGRADOS RÁDIO FREQUÊNCIA

Aluno: João Paulo Camelo Cunha - IC-Voluntária - Curso de Engenharia Elétrica (N) - Orientador: André Augusto Mariano - Departamento de Engenharia Elétrica - Área de conhecimento: 30000009 - Palavras-chave: retificador rfid; transistores zero vth.; circuitos integrados - Coorientador: Bernardo Rego Barros de Almeida Leite.

Dando continuidade aos trabalhos desenvolvidos durante a vigência do edital PIBIC 2012 - 2013, o enfoque do presente trabalho convergiu para a busca por melhoria dos parâmetros do retificador RFID (Radio Frequency Identification) UHF (Ultra High Frequency), tais como, sensibilidade, área ocupada em silício e, ainda, impedância de entrada. A pesquisa desenvolvida durante aquela vigência foi iniciada com objetivo principal de integrar um circuito retificador UHF com consumo de energia ultra-baixo, capaz de fornecer potência adequada para etiquetas de circuitos RFID. Além disto, este circuito retificador deveria possuir uma sensibilidade de aproximadamente -16dBm e ocupar uma superfície de silício inferior a 0,025 mm2. Arquiteturas de retificadores tradicionais usam transistores MOS (Metal Oxide Semiconductor) com tensão de limiar, conhecido também por tensão threshold, relativamente alta e com objetivo de minimizar os efeitos desse parâmetro, são usados circuitos adicionais chamados de circuitos de cancelamento ou compensação de Vth (tensão THreshold). Como os transistores zero Vth usam uma pequena tensão de limiar e consequentemente dispensam a necessidade do uso de circuitos adicionais para cancelamento ou compensação de tensão de limiar, foi verificado, usando tais transistores, uma diminuição do valor de área ocupada pelo circuito e ainda menos potência consumida pelo retificador, aumentando, assim, o seu rendimento. Desta forma, foi projetado um retificador que usa apenas transistores MOS do tipo zero Vth, buscando melhorar o desempenho do circuito. O circuito otimizado atinge uma sensibilidade de -17,73 dBm sem carga e -13,07dBm com carga. Além disto, foi possível ocupar uma área em silício de aproximadamente metade do limite estipulado no início do projeto, ou seja, foi ocupada apenas 0,013 mm2.