DEPOSIÇÃO E CARACTERIZAÇÃO DE FILMES FINOS DE SE9:GA1

Aluno de Iniciação Científica: Luciana Marian Cardoso (Pesquisa voluntária)
Curso: Física (Licenciatura)
Orientador: José Pedro Mansueto Serbena
Colaborador: Ivo Alexandre Hümmelgen, Kleber Daum Machado
Departamento: Física
Setor: Ciências Exatas
Palavras-chave: semicondutor , selênio , optoeletrônica
Área de Conhecimento: 10507116 - ESTRUT.ELETR.E PROPR.ELET.DE SUPERFÍCIES; INTERF.E PELÍCULAS

Os semicondutores são altamente importantes devido às várias aplicações em dispositivos eletrônicos como, por exemplo, transistores e fotodetectores. Dentre os materiais que exibem o caráter semicondutor estão os calcogenetos, que são combinações dos compostos do grupo 16 da tabela periódica (calcogênios) com demais elementos químicos, e exibem uma variedade de efeitos foto-induzidos, como o escurecimento, branqueamento, dicroísmo, expansão e cristalização. A área de aplicação dos dispositivos baseados nos calcogenetos é vasta, e inclui painéis planos de alta sensitividade. Atualmente é usado para obter imagens de grande precisão. O objetivo deste trabalho é caracterizar óptica, morfológica e eletricamente filmes finos de SeGa, procurando informações importantes referentes ao seu estado semicondutor, como, por exemplo energias de banda proibida e/ou mobilidade de portadores de carga. As amostras são feitas em uma evaporadora térmica à vácuo. O material, em formato de pó obtido por moagem mecânica na proporção em massa 90% Se + 10% Ga, é colocado em um cadinho dentro da evaporadora. O cadinho é aquecido pela corrente que passa através dele, até que o pó sublimado seja depositado sobre um substrato. Para a caracterização óptica, o substrato é composto por uma lâmina de vidro, enquanto para a caracterização elétrica, o substrato é composto por um filme de óxido de estanho dopado com flúor ( FTO) depositado sobre o vidro. Neste último caso, sobre o filme semicondutor, uma segunda camada condutora, de Al, é depositada para fazer contato elétrico entre a amostra e os equipamentos de medida. A caracterização óptica consiste na realização de espectroscopia UV-Vis, procurando-se obter a região de absorção do semicondutor que está diretamente relacionada à energia de banda proibida. A caracterização elétrica consiste em medidas de corrente versus tensão, procurando-se identificar fatores importantes à condução elétrica através do semicondutor, como a importância dos eletrodos condutores ou fotogeração de portadores de carga.

 

0074